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IXTP08N100D2

IXTP08N100D2

IXTP08N100D2

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB

compliant

IXTP08N100D2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.67000 $1.67
50 $1.35000 $67.5
100 $1.21500 $121.5
500 $0.94500 $472.5
1,000 $0.78300 -
2,500 $0.75600 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 800mA (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 21Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14.6 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 325 pF @ 25 V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

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