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IRFH8318TRPBF

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MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN

非準拠

IRFH8318TRPBF 価格と注文

単価 外貨価格
4,000 $0.32808 -
8,000 $0.30787 -
12,000 $0.29776 -
28,000 $0.29224 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 27A (Ta), 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.35V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3180 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.6W (Ta), 59W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PQFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

SI7308DN-T1-E3
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2SK4094-1E
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STFU18N65M2
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UJ4SC075011K4S
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