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IXFA5N100P

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 5A TO263

非準拠

IXFA5N100P 価格と注文

単価 外貨価格
50 $3.15000 $157.5
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 6V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 33.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1830 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AA (IXFA)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

NVMFS5C410NWFAFT1G
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UJ4C075060B7S
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FDPF5N50T
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SQA403EJ-T1_GE3
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2N7002EQ-13-F
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RFD16N05L
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DMTH6010SK3-13
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