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RFD16N05L

RFD16N05L

RFD16N05L

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFD16N05L データシート

compliant

RFD16N05L 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.08000 $1.08
500 $1.0692 $534.6
1000 $1.0584 $1058.4
1500 $1.0476 $1571.4
2000 $1.0368 $2073.6
2500 $1.026 $2565
33102 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 50 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 16A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4V, 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 47mOhm @ 16A, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (最大) ±10V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251AA
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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関連部品番号

DMTH6010SK3-13
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$0 $/ピース
HUF75631SK8
FDC602P
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IXTN550N055T2
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$0 $/ピース
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SSM3J09FU,LF
MCQ05P10Y-TP
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FCHD040N65S3-F155
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SIR638ADP-T1-RE3
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RSR015P03TL
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