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FDC602P

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

FDC602P データシート

compliant

FDC602P 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.18516 -
6,000 $0.17322 -
15,000 $0.16127 -
30,000 $0.15291 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1456 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.6W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SuperSOT™-6
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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