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IXFN120N65X2

IXFN120N65X2

IXFN120N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B

compliant

IXFN120N65X2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $27.96000 $27.96
10 $25.86300 $258.63
100 $22.08840 $2208.84
500 $19.57200 $9786
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 108A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 24mOhm @ 54A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5.5V @ 8mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 225 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 15500 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 890W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
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関連部品番号

SQJ415EP-T1_BE3
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SI2309CDS-T1-BE3
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DMN53D0U-13
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HUF76423P3
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SQJA80EP-T1_GE3
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