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IXFT13N100

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268

非準拠

IXFT13N100 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
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2000 $0 $0
2500 $0 $0
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 900mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 4mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4000 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-268AA
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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