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IXFX32N100P

IXFX32N100P

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3

非準拠

IXFX32N100P 価格と注文

単価 外貨価格
1 $17.12000 $17.12
30 $14.39300 $431.79
120 $13.22600 $1587.12
510 $11.28100 $5753.31
1240 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 32A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 320mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 6.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 225 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 14200 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 960W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ PLUS247™-3
パッケージ/ケース TO-247-3 Variant
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