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IXKN40N60C

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B

非準拠

IXKN40N60C 価格と注文

単価 外貨価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 40A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 70mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.9V @ 2.5mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 250 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 290W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
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