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IXTA1N200P3HV

IXTA1N200P3HV

IXTA1N200P3HV

IXYS

MOSFET N-CH 2000V 1A TO263

compliant

IXTA1N200P3HV 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.58000 $6.58
50 $5.39160 $269.58
100 $4.86550 $486.55
500 $4.07650 $2038.25
1,000 $3.68200 -
1 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 2000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 40Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 23.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 646 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AA
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

IRF730B
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DMN3010LSS-13
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FCI25N60N
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