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IXTA1R4N120P-TRL

IXTA1R4N120P-TRL

IXTA1R4N120P-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263

SOT-23

非準拠

IXTA1R4N120P-TRL 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.65894 $3.65894
500 $3.6223506 $1811.1753
1000 $3.5857612 $3585.7612
1500 $3.5491718 $5323.7577
2000 $3.5125824 $7025.1648
2500 $3.475993 $8689.9825
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 13Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 100µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 24.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 666 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 86W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263 (D2Pak)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

IXTP14N60P
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MCH6336-TL-E
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STFH18N60M2
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NTB082N65S3F
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$0 $/ピース
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BUK753R1-40E,127
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