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IXTH2N150

IXTH2N150

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IXYS

DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO

IXTH2N150 データシート

compliant

IXTH2N150 価格と注文

単価 外貨価格
1 $10.80867 $10.80867
500 $10.7005833 $5350.29165
1000 $10.5924966 $10592.4966
1500 $10.4844099 $15726.61485
2000 $10.3763232 $20752.6464
2500 $10.2682365 $25670.59125
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 9.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 830 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 170W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

2SK973L-E
DMT6005LPS-13
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$0 $/ピース
2SJ216-E
NVHL065N65S3F
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$0 $/ピース
NTMTS002N08MC
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$0 $/ピース
2SK3114-S17-AZ
IXFT24N90P-TRL
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$0 $/ピース
FDZ663P
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$0 $/ピース
STL28N60DM2
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$0 $/ピース
HUF76121S3
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$0 $/ピース

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