ichome.comへようこそ!

logo

IXTH30N60P

IXTH30N60P

IXTH30N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 30A TO247

非準拠

IXTH30N60P 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.28000 $7.28
30 $5.96567 $178.9701
120 $5.38350 $646.02
510 $4.51051 $2300.3601
1,020 $4.07400 -
247 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 240mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5050 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 540W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース TO-247-3
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

SI7463DP-T1-GE3
SI7463DP-T1-GE3
$0 $/ピース
SPD07N60C3ATMA1
TSM2N60ECP ROG
SUM60N10-17-E3
SUM60N10-17-E3
$0 $/ピース
IRF60DM206
IRF60DM206
$0 $/ピース
2SJ128-AZ
AOW360A70
SIHB100N60E-GE3
SIHB100N60E-GE3
$0 $/ピース
SUM65N20-30-E3
SUM65N20-30-E3
$0 $/ピース
STW30NM50N
STW30NM50N
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。