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VWM200-01P

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IXYS

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

非準拠

VWM200-01P 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 210A
rds オン (最大) @ id、vgs 5.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 2mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 430nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 -
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース V2-PAK
サプライヤーデバイスパッケージ V2-PAK
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