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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
電圧 - 破壊電圧 (v(br)gss) | 40 V |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 40 V |
電流 - ドレイン (idss) @ vds (vgs=0) | - |
消費電流(ID) - 最大 | 10 mA |
電圧 - カットオフ (vgs オフ) @ id | 6 V @ 1 µA |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 13pF @ 20V |
抵抗 - rds(on) | 38 Ohms |
パワー - 最大 | 350 mW |
動作温度 | -55°C ~ 135°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-VFDFN Exposed Pad |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-DFN (2x2) |
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