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2N7002-G

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MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

2N7002-G データシート

非準拠

2N7002-G 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.37080 -
0 items
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 115mA (Tj)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 50 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 360mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23 (TO-236AB)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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