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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 1200V (1.2kV) |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 220A (Tc) |
rds オン (最大) @ id、vgs | 12mOhm @ 150A, 20V |
vgs(th) (最大) @ id | 2.4V @ 30mA (Typ) |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 483nC @ 20V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 8400pF @ 1000V |
パワー - 最大 | 925W |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | SP6 |
サプライヤーデバイスパッケージ | SP6-P |
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