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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | 4 N-Channel, Common Source |
| FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 1200V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 150A |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 16mOhm @ 80A, 20V |
| vgs(th) (最大) @ id | 2.8V @ 2mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 464nC @ 20V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 6040pF @ 1000V |
| パワー - 最大 | 560W |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ | - |
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