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APTC90H12T1G

APTC90H12T1G

APTC90H12T1G

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

非準拠

APTC90H12T1G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 4 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 Super Junction
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 900V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A
rds オン (最大) @ id、vgs 120mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 3mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 270nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6800pF @ 100V
パワー - 最大 250W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP1
サプライヤーデバイスパッケージ SP1
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関連部品番号

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