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JAN2N7334

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MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

JAN2N7334 データシート

compliant

JAN2N7334 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 4 N-Channel
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A
rds オン (最大) @ id、vgs 700mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 60nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 1.4W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース 14-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤーデバイスパッケージ MO-036AB
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関連部品番号

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GWM160-0055X1-SMD
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