ichome.comへようこそ!

logo

PMXB360ENEAZ

PMXB360ENEAZ

PMXB360ENEAZ

Nexperia USA Inc.

MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3

compliant

PMXB360ENEAZ 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.12708 -
10,000 $0.11993 -
25,000 $0.11135 -
50,000 $0.10777 -
8712 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.1A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 450mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.7V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 130 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DFN1010D-3
パッケージ/ケース 3-XDFN Exposed Pad
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

NVMFS5C410NLAFT3G
NVMFS5C410NLAFT3G
$0 $/ピース
IRFR310TRLPBF
IRFR310TRLPBF
$0 $/ピース
CSD25202W15T
CSD25202W15T
$0 $/ピース
IPL60R180P6AUMA1
IPD50N10S3L16ATMA1
AOB2502L
R6020FNX
R6020FNX
$0 $/ピース
NVD5C688NLT4G
NVD5C688NLT4G
$0 $/ピース
RMA4N60092
RMA4N60092
$0 $/ピース
SQS484EN-T1_GE3
SQS484EN-T1_GE3
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。