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PMXB350UPEZ

PMXB350UPEZ

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NXP Semiconductors

NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH

compliant

PMXB350UPEZ 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.10325 -
10,000 $0.09521 -
25,000 $0.08985 -
50,000 $0.08182 -
125,000 $0.08036 -
795437 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.2V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 950mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 2.3 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 116 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DFN1010D-3
パッケージ/ケース 3-XDFN Exposed Pad
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関連部品番号

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