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PSMN1R1-30PL,127

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PSMN1R1-30PL,127

NXP Semiconductors

NEXPERIA PSMN1R1-30PL - 120A, 30

compliant

PSMN1R1-30PL,127 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.24000 $3.24
50 $2.61260 $130.63
100 $2.35130 $235.13
500 $1.82876 $914.38
1,000 $1.51525 -
6020 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 243 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 14850 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 338W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

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