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FCMT299N60

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 12A POWER88

非準拠

FCMT299N60 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $1.22201 -
6,000 $1.17675 -
5333 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 299mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1948 pF @ 380 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Power88
パッケージ/ケース 4-PowerTSFN
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