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FDA59N30

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onsemi

MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN

FDA59N30 データシート

非準拠

FDA59N30 価格と注文

単価 外貨価格
1 $4.00000 $4
10 $3.59000 $35.9
450 $2.68580 $1208.61
900 $2.19919 $1979.271
1,350 $2.06016 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 300 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 59A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 56mOhm @ 29.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4670 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 500W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-3PN
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
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関連部品番号

SIHP16N50C-BE3
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5HN01M-TL-E
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IXFX420N10T
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DMN2026UVT-13
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NTMFS6H800NT1G
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SI1424EDH-T1-BE3
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