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FDB0165N807L

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7

compliant

FDB0165N807L 価格と注文

単価 外貨価格
800 $3.75649 $3005.192
1,600 $3.51901 -
2,400 $3.35277 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 310A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.6mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 304 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 23660 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263-7
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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関連部品番号

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SI4408DY-T1-GE3
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IXTH11P50
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SIHG080N60E-GE3
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