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FDC645N

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6

SOT-23

FDC645N データシート

非準拠

FDC645N 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.36940 -
6,000 $0.34393 -
15,000 $0.33119 -
30,000 $0.32424 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 26mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1460 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.6W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SuperSOT™-6
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

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BUK9637-100E,118
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