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SI2306BDS-T1-E3

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SI2306BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

非準拠

SI2306BDS-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
3000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.16A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 47mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.5 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 305 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 750mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

IPLK80R600P7ATMA1
SSM3K35CTC,L3F
APT12060LVFRG
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$0 $/ピース
IXFN20N120P
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FDZ372NZ
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$0 $/ピース
NVHL082N65S3F
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$0 $/ピース
STD3N40K3
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$0 $/ピース
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APT10026L2LLG
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BUK9511-55A,127
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$0 $/ピース

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