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FDC655BN

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

FDC655BN データシート

compliant

FDC655BN 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.16675 -
6,000 $0.15599 -
15,000 $0.14523 -
30,000 $0.13770 -
3 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.3A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 25mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 570 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.6W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SuperSOT™-6
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

BSZ0803LSATMA1
DMNH4006SK3Q-13
NTLJS4149PTBG
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STU2N80K5
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SFT1443-H
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SIR438DP-T1-GE3
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IXTK110N20L2
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IXFK210N30X3
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BSC082N10LSGATMA1

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