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FDC658P

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onsemi

MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6

FDC658P データシート

非準拠

FDC658P 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.23529 -
6,000 $0.22011 -
15,000 $0.20493 -
30,000 $0.19430 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 50mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 750 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.6W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SuperSOT™-6
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

IPB073N15N5ATMA1
TK62J60W,S1VQ
GPI65010DF56
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$0 $/ピース
IRFU4510PBF
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DMP21D5UFB4-7B
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$0 $/ピース
APT43M60B2
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$0 $/ピース
PHT6NQ10T,135
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$0 $/ピース
FDP5680
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$0 $/ピース
R6025JNZ4C13
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$0 $/ピース
TK49N65W5,S1F

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