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FDD306P

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onsemi

MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252

FDD306P データシート

非準拠

FDD306P 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.35505 -
5,000 $0.33056 -
12,500 $0.31832 -
25,000 $0.31164 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.7A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1290 pF @ 6 V
FET機能 -
消費電力(最大) 52W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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