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FDD3860

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MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK

FDD3860 データシート

非準拠

FDD3860 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.56235 -
5,000 $0.53579 -
12,500 $0.51681 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 36mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1740 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 69W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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