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FDD86113LZ

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK

非準拠

FDD86113LZ 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.60310 -
5,000 $0.57461 -
12,500 $0.55426 -
27398 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 104mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 285 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 29W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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SFR9110TF
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SIHF9Z34STRL-GE3
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PHB66NQ03LT,118
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