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FDG6335N

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onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363

FDG6335N データシート

非準拠

FDG6335N 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.24308 -
6,000 $0.22631 -
15,000 $0.21793 -
30,000 $0.21336 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 700mA
rds オン (最大) @ id、vgs 300mOhm @ 700mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 1.4nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 113pF @ 10V
パワー - 最大 300mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ SC-88 (SC-70-6)
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関連部品番号

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DMC3060LVTQ-7
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SI5935CDC-T1-GE3
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