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FDI150N10

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

FDI150N10 データシート

非準拠

FDI150N10 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.32000 $2.32
10 $2.10200 $21.02
100 $1.70060 $170.06
800 $1.21198 $969.584
1,600 $1.11716 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 57A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 16mOhm @ 49A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4760 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 110W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I2PAK (TO-262)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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関連部品番号

UF3C065040B3
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$0 $/ピース
IPD15N06S2L64ATMA2
HUFA75645S3S
5HN01M-TL-H
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$0 $/ピース
FQU5P20TU
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$0 $/ピース
FQA28N15
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$0 $/ピース
STY112N65M5
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$0 $/ピース
NDFP03N150CG
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$0 $/ピース
DMTH10H015SK3-13
NVD4806NT4G
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$0 $/ピース

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