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FDMS4D4N08C

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN

compliant

FDMS4D4N08C 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $1.48846 -
2236 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 123A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.3mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4090 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-PQFN (5x6), Power56
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

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SQJ433EP-T1_GE3
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DMP3011SFVW-7
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NVMFS5H610NLT1G
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RFH10N50
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UJ4C075060K3S
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