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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 150 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 90A (Tc) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 10V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 18mOhm @ 45A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 285 nC @ 10 V |
vgs (最大) | ±25V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 8700 pF @ 25 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 375W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取り付けタイプ | Through Hole |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-3PN |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
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