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FQD13N10LTM

FQD13N10LTM

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

非準拠

FQD13N10LTM 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.27230 -
5,000 $0.25452 -
12,500 $0.24563 -
25,000 $0.24078 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 180mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 520 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

FDD6670AL_NL
IXTH140P05T
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2SK4087LS
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ZXMN7A11GQTA
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NVD5117PLT4G-VF01
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HUF75939P3
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$0 $/ピース
FQB7N30TM
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SIR5710DP-T1-RE3
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2SJ646-TL-E
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