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FQD19N10LTM

FQD19N10LTM

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

compliant

FQD19N10LTM 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.38654 -
5,000 $0.36131 -
12,500 $0.34869 -
25,000 $0.34181 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 15.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 100mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 870 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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