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FQD1N60CTM

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

非準拠

FQD1N60CTM 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.29942 -
5,000 $0.27988 -
12,500 $0.27010 -
25,000 $0.26477 -
15900 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Last Time Buy
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 11.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.2 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 170 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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BUK662R7-55C,118
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