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FQD2N80TM

FQD2N80TM

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

SOT-23

FQD2N80TM データシート

非準拠

FQD2N80TM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.28000 $1.28
500 $1.2672 $633.6
1000 $1.2544 $1254.4
1500 $1.2416 $1862.4
2000 $1.2288 $2457.6
2500 $1.216 $3040
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6.3Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 550 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

NTD4959NHT4G
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DMN3028LQ-7
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DMPH6250S-13
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IRFW630BTM-FP001
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