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MTB6N60E1

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onsemi

N-CHANNEL POWER MOSFET

MTB6N60E1 データシート

非準拠

MTB6N60E1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ -
テクノロジー -
ドレイン-ソース電圧 (vdss) -
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c -
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs -
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -
取り付けタイプ -
サプライヤーデバイスパッケージ -
パッケージ/ケース -
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関連部品番号

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