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NCD57090EDWR2G

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onsemi

ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

非準拠

NCD57090EDWR2G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.09000 $3.09
500 $3.0591 $1529.55
1000 $3.0282 $3028.2
1500 $2.9973 $4495.95
2000 $2.9664 $5932.8
2500 $2.9355 $7338.75
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
テクノロジー Capacitive Coupling
チャンネル数 1
電圧 - 絶縁 5000Vrms
コモンモード過渡耐性(最小) 100kV/µs (Max)
伝播遅延 tplh / tphl (最大) 90ns, 90ns
パルス幅歪み(最大) 25ns
上昇/下降時間(標準) 13ns, 13ns
電流 - 出力高、低 6.5A, 6.5A
電流 - ピーク出力 6.5A
電圧 - 順方向 (vf) (typ) -
電流 - 直流順方向(if)(最大) -
電圧 - 出力供給 0V ~ 32V
動作温度 -40°C ~ 125°C
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
承認機関 VDE
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関連部品番号

UCC21750QDWRQ1
UCC21750QDWRQ1
$0 $/ピース
FOD8384R2V
FOD8384R2V
$0 $/ピース
SI8235BA-D-IS1R
SI8275DBD-IM1
SI8286CC-ISR
PS9531L3-V-E3-AX
SI8235AB-D-IMR
SI8284CD-IS
SI823H9BC-ISR
UCC5310MCD
UCC5310MCD
$0 $/ピース

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