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NTLJD3182FZTBG

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN

compliant

NTLJD3182FZTBG 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.8 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 450 pF @ 10 V
FET機能 Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) 710mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-WDFN (2x2)
パッケージ/ケース 6-WDFN Exposed Pad
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