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NVD5867NLT4G-TB01

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3

compliant

NVD5867NLT4G-TB01 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Ta), 22A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 39mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 675 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.3W (Ta), 43W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DPAK-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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SI5856DC-T1-E3
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BUK7226-75A,118
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