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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 150 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 7.4A (Ta), 37.2A (Tc) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 8V, 10V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 22mOhm @ 18A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 4.5V @ 100µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 17 nC @ 10 V |
vgs (最大) | ±20V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 1315 pF @ 75 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.2W (Ta), 71.4W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3) |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
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