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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 1200 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 103A (Tc) |
| 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン） | 20V |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 28mOhm @ 60A, 20V |
| vgs(th) (最大) @ id | 4.3V @ 20mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 203 nC @ 20 V |
| vgs (最大) | +25V, -15V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 2890 pF @ 800 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 535W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
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