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NVMFS6B14NLT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN

非準拠

NVMFS6B14NLT1G 価格と注文

単価 外貨価格
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11A (Ta), 55A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 13mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1680 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN, 5 Leads
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関連部品番号

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