ichome.comへようこそ!

logo

RFP12N10L

RFP12N10L

RFP12N10L

onsemi

MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3

RFP12N10L データシート

非準拠

RFP12N10L 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.30000 $1.3
10 $1.15600 $11.56
100 $0.91330 $91.33
800 $0.61884 $495.072
1,600 $0.55919 -
8911 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 200mOhm @ 12A, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 900 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

IPI120N04S402AKSA1
ZXMN3A04KTC
ZXMN3A04KTC
$0 $/ピース
IPD25N06S240ATMA2
DMP1022UFDF-13
DMP1022UFDF-13
$0 $/ピース
DMN2024UFDF-7
DMN2024UFDF-7
$0 $/ピース
RQ5H030TNTL
RQ5H030TNTL
$0 $/ピース
SQM40061EL_GE3
SQM40061EL_GE3
$0 $/ピース
NVD4806NT4G-VF01
NVD4806NT4G-VF01
$0 $/ピース
SIRA12DP-T1-GE3
SIRA12DP-T1-GE3
$0 $/ピース
NTTFS5C670NLTWG
NTTFS5C670NLTWG
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。