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PJD30N15_L2_00001

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150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

compliant

PJD30N15_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.12000 $1.12
500 $1.1088 $554.4
1000 $1.0976 $1097.6
1500 $1.0864 $1629.6
2000 $1.0752 $2150.4
2500 $1.064 $2660
2990 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.5A (Ta), 25A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 65mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 29.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1764 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 102W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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